Superq的理想技术是由Mass正式生产的，启动了150V和200V的MOSFET，展示了行业领先的

Ideass Superq™半导体技术现在已经完全生产，其中首款是150 V MOSFET。同时，一系列MOSFET 200V产品也进入了表演阶段。在过去25年中，SuperQ一直是基于硅的MOSFET设计领域的首要进步，为硅电源设备实现了前所未有的性能和效率的提高。该体系结构破坏了硅材料在驾驶和变化中的物理瓶颈，将N型的导电区扩大到95％，与竞争对手相比，切换损失最高2.1倍。这种结构不仅可以提高设备的抵抗力和功能损失，而且保留了许多优势，例如对175°C的工会温度的高电阻，强大的质量生产能力和理想的绝对可限制性的150V MOSFET产品，IS15M7R1S1C，IS15M7R1S1C，是典型的6.4mmΩ，现在是5 x 6 mm pdn的典型抗性，现在可以使用。冲浪CE Mount包装的设计带有裸露的引脚，以促进客户组装并在董事会级别提高可靠性。 200V产品家族包括IS20M6R1S1T，这是一种典型的MOSFET，在11.5 x 9.7毫米收费包中具有6.1mΩ的电阻。它的RD（ON）比该行业目前的领导人低10％，比其两个阶段竞争对手低36％。目前，该公司还提供了200V样品的包装格式，例如TOLL，TOCL，TO220，D2PAK-7L和PDFN。 250V，300V和400V的MOSFET平台即将开始。这些电压水平在常规当前半导体技术中仍然不足。新的理想一代设备提供了较低的阻力，从而释放了效率和性能的新可能性。 Mark Co -Founder和理想的半导体首席执行官：“在过去的25年中，该行业一直基于“ Resurf”技术，类似于Ultra讨论，但是必须引入此类建筑的性能以实现HI的增长“绩效的传播和效率”。“对公共服务没有强烈的需求。SuperQ促进了关键新兴应用的开发，包括工业自动化，AI数据中心和全球电气化趋势。今天，理想的设计工程师为成本的关系提供了150V至400 v 400 v v and v ofderes for semip offent of sevent of the Mosiv and iCFET。材料，这使SuperQ成为下一代能源电子产品的基本平台。基于设备的硅理想能量是在美国开发，设计和制造的。并提供广泛的标准行业游戏包，其中包括220，ITO-200000，247和D2PAK-3。 D2PAK-7L，DPAK，TOLL，TOLT，PDFN 5X6等。产品涵盖了广泛的电压水平和应用领域。